Mask aligning/Bond aligning

SÜSS MicroTec BA6/8

Der Bond Aligner BA6/8 bietet neben einer hochpräsizen Justierung zweier Wafer ein Fusionsbondverfahren, bei dem zwei Substrate direkt im Aligner miteinander verbunden werden.

Er zeichnet sich durch hervorragende Justiergenauigkeit, niedrige Cost-of-Ownership und einen geringen Umrüstaufwand für weitere Anwendungen aus.

Features

  • bis zu 200 mm
  • Ober-, Rückseiten, Infrarotjustierung
  • Fusionsbonden
  • Spezielles Fixture für sicheren Wafertransfer
SÜSS MicroTec BA6/8

SÜSS MicroTec BA8 Gen3

Der BA8 Gen3 Bond Aligner ist für die manuelle Justierung und das anschließende Bonden zweier Wafer konzipiert.

Je nach Prozessanforderung ist der BA8 Gen3 als manuelles oder halbautomatisches System konfigurierbar. Durch seinen hohen Automatisierungsgrad und Wiederholgenauigkeit und geringe Umrüstaufwand für weitere Anwendungen lässt sich der BA8 Gen3 nicht nur in Forschung und Entwicklung, sondern auch bei Pilotproduktionen oder kleineren Serienproduktionen einsetzen.

Features

  • bis zu 200 mm Substratgröße
  • Ober-, Rückseiten, Infrarotjustierung
  • Fusionsbonden
  • Selektive oder vollflächige Plasmaaktivierung
  • Bildverarbeitungssoftware
  • Unterstützte Justierung und Auto-Alignment
  • Ergonomische und einfache Bedienung dank intuitiver, Windows-basierter Benutzeroberfläche
  • Spezielles Fixture für sicheren Wafertransfer
SÜSS MicroTec BA8 Gen3

SÜSS MicroTec MA/BA6 Gen3

Der MA/BA6 Gen3 Mask Aligner bietet mit seinen intelligent konzipierten Justier-, Belichtungs- und Imprintlösungen eine große Vielfalt an Anwendungsmöglichkeiten.

Er findet daher seinen Einsatz sowohl in Forschung und Entwicklung als auch in operatorgestützten Produktion.

Features

  • Bis zu 150 mm Substratgröße
  • Ober-, Rückseiten, Infrarotjustierung
  • automatische Justierung mit Hilfe von Bildverarbeitung
  • Wafer-zu-Wafer-Justierung
  • Kontakt- und Abstandsbelichtung
  • beugungsreduzierende Optiken
  • voll- und kleinflächiges Mikro/Nanoimprinten
  • Upgrade auf 200 mm im Feld

Spezifikationen

  • Auflösung: bis zu 2.5 µm
  • Justiergenauigkeit: <0,25 µm
  • Lichtgleichmäßigkeit: +/- 2,5%
SÜSS MicroTec MA/BA6 Gen3

SÜSS MicroTec MA/BA8 Gen3

SÜSS MicroTecs MA/BA8 Gen3 Mask Aligner-Plattform bietet mit seinen intelligent konzipierten Justier-, Belichtungs- und Imprintlösungen eine große Vielfalt an Anwendungsmöglichkeiten.

Sie findet daher ihren Einsatz sowohl in Forschung und Entwicklung als auch in operatorgestützten Produktion.

Features

  • Bis zu 200 mm Substratgröße
  • Oberseiten-, Rückseiten-, Infrarotjustierung
  • automatische Justierung mit Hilfe von Bildverarbeitung
  • Wafer-zu-Wafer-Justierung
  • Kontakt- und Abstandsbelichtung
  • beugungsreduzierende Optiken
  • voll- und kleinflächiges Mikro/Nanoimprinten
  • selektive oder vollflächige Plasmaaktivierung

Spezifikationen

  • „Auflösung: bis zu 2.5 µm
  • Justiergenauigkeit: <0,25 µm
  • Lichtgleichmäßigkeit: +/- 2,5%
SÜSS MicroTec MA/BA8 Gen3

SÜSS MicroTec MA100/150e Gen2

Mit dem MA100/150e Gen2 bietet SÜSS MicroTec eine Mask Aligner-Plattform speziell für die Verarbeitung empfindlicher Verbindungshalbleiter, wie HB-LEDs, Leistungshalbleiter oder HF-MEMS an.

Features

  • Bis zu 150 mm Substratgröße
  • Oberseiten-, Rückseiten-, Infrarotjustierung, Justierung mit Dunkelfeldmasken
  • Alignment-Funktion u.a. für Anwendungen mit Ritzlinien
  • Kontakt- und Abstandsbelichtung
  • beugungsreduzierende Optik
  • gleichzeitiges Handling von drei Wafern
  • Multi-Size-Tooling

Spezifikationen

  • Auflösung: bis zu 2,5 µm
  • Justiergenauigkeit: <0.7 µm
  • Lichtgleichmäßigkeit: +/- 2.5%
  • Durchsatz: bis zu 145 Wafer/Stunde"
SÜSS MicroTec MA100/150e Gen2

SÜSS MicroTec MA200 Gen3

Der MA200 Gen3 Mask Aligner von SÜSS MicroTec justiert und belichtet Wafer sowie eckige Substrate.

Mit seiner durchdachten vollautomatisierten Konzeption ist er speziell für die Großserienproduktion ausgelegt. Hierbei bietet er führende Prozessstabilität, hohe Prozessflexibilität für eine Vielzahl von Anwendungen und unübertroffenen Durchsatz bei dicken Lacken.

Features

  • Bis zu 200 mm Substratgröße
  • Oberseiten-, Rückseiten-, Infrarotjustierung, Justierung mit Dunkelfeldmasken
  • Automatische Justierung
  • Kontakt- und Abstandsbelichtung
  • Beugungsreduzierende Optiken
  • Maskenbibliothek
  • Modul zur Aushärtung nach der Belichtung
  • Schrägbelichtung

Spezifikationen

  • Auflösung: bis zu 1 µm
  • Justiergenauigkeit: <0,5 µm
  • Lichtgleichmäßigkeit: +/- 2,5%
  • Durchsatz: bis zu 145 Wafer/Stunde
SÜSS MicroTec MA200 Gen3

Sie interessieren sich für Mask aligning/Bond aligning?

Senden Sie uns Ihre unverbindliche Kontaktfrage und erhalten Sie kostenlose Informationen zum Produkt und profitieren Sie jetzt von unseren speziellen Angeboten.