Welcher Silizium-Wafer ist der richtige für meinen Prozess?

Wafer ist nicht gleich Wafer. Durchmesser, Dicke, Dotierung, Kristallorientierung, spezifischer Widerstand und Oberflächenqualität beeinflussen die Eigenschaften eines Silizium-Wafers und müssen zum jeweiligen Prozess passen. D&X bietet Silizium-Wafer in unterschiedlichen Spezifikationen für Forschung, Entwicklung und industrielle Anwendungen. Je nach Anwendung können unterschiedliche Waferdurchmesser, Dicken, Dotierungen und Oberflächenausführungen gewählt werden. Wichtige Auswahlkriterien sind: Waferdurchmesser: Die Abmessung muss […]
Welche Beschichtungsanlage eignet sich für 200-mm-Wafer?

Der SUSS ACS200 Gen3 ist eine vollautomatische, modular aufgebaute Beschichtungs- und Entwicklungsanlage für Wafer von 100 bis 200 mm. Er eignet sich für Forschung, Entwicklung und industrielle Anwendungen in der MEMS-Fertigung, Halbleitertechnik und im Advanced Packaging. Die Anlage zeichnet sich durch folgende Eigenschaften aus: GYRSET®-Technologie: Eine turbulenzfreie, lösungsmittelreiche Atmosphäre ermöglicht eine gleichmässige und reproduzierbare Fotolackbeschichtung, […]
Welche Bonding-Verfahren werden beim Flip-Chip-Bonding eingesetzt?

Je nach Materialien, Strukturgrösse und Anwendung kommen unterschiedliche Verfahren zum Einsatz. Reflow Bonding Verbinden durch Aufschmelzen Lotbumps werden erhitzt und bilden beim Abkühlen eine feste Verbindung. Thermocompression Bonding (Wärme + Druck)Chip und Substrat werden präzise ausgerichtet und unter kontrollierter Temperatur und Bondkraft verbunden. Thermosonic Bonding (Wärme + Druck + Ultraschall) Ultraschall unterstützt die metallische Verbindung […]
Was ist Flip-Chip-Bonding?

Flip-Chip-Bonding ist eine hochpräzise Verbindungstechnik, bei der ein Chip mit seiner aktiven Seite nach unten direkt auf einem Substrat positioniert und verbunden wird. Im Gegensatz zum klassischen Wire Bonding werden keine Bonddrähte benötigt. Die elektrischen Kontakte des Chips werden über Bumps oder Kontaktflächen direkt mit dem Substrat verbunden. Dadurch entstehen sehr kurze elektrische Verbindungen und […]