Wafer ist nicht gleich Wafer. Durchmesser, Dicke, Dotierung, Kristallorientierung, spezifischer Widerstand und Oberflächenqualität beeinflussen die Eigenschaften eines Silizium-Wafers und müssen zum jeweiligen Prozess passen.
D&X bietet Silizium-Wafer in unterschiedlichen Spezifikationen für Forschung, Entwicklung und industrielle Anwendungen. Je nach Anwendung können unterschiedliche Waferdurchmesser, Dicken, Dotierungen und Oberflächenausführungen gewählt werden.
Wichtige Auswahlkriterien sind:
- Waferdurchmesser: Die Abmessung muss sowohl zum Prozess als auch zum eingesetzten Equipment passen.
- Waferdicke: Je nach Anwendung werden Standarddicken oder spezielle Dicken benötigt. D&X bietet beispielsweise auch deutlich dickere Wafer für spezielle Anwendungen.
- Dotierung: P-Type und N-Type Wafer ermöglichen unterschiedliche elektrische Eigenschaften des Ausgangsmaterials.
- Spezifischer Widerstand: Die Resistivität kann je nach Anwendung über einen grossen Bereich spezifiziert werden und ist ein wichtiges Kriterium für elektrische und halbleitertechnische Prozesse.
- Kristallorientierung: Je nach Prozess stehen unterschiedliche Orientierungen wie <100> oder <110> zur Verfügung.
- Oberflächenqualität: SSP (Single Side Polished) und DSP (Double Side Polished) ermöglichen die Auswahl der passenden Oberflächenqualität für den jeweiligen Prozess.
Gerade in Forschung, MEMS, Lithografie und Halbleiterentwicklung ist es deshalb wichtig, nicht nur den Waferdurchmesser festzulegen. Die gesamte Spezifikation muss auf den nachfolgenden Prozess abgestimmt sein.
D&X führt unterschiedliche Silizium-Wafer auch als Lagerware. Dadurch können Standard- und Entwicklungsanwendungen teilweise ohne kundenspezifische Waferproduktion abgedeckt werden.
Mehr Informationen zu den D&X Wafern und Wafer Services
pdf: DUX Flyer
